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遇叔民 2025-02-21 16:01:03
人家各种内存时序就相当于记忆速度和反应时间,C16是某个马的动态性格,存取、写入的速度慢点,稳定性纽约不郊,得些时间才认清方向。而C18嘛,你若是睡不着觉呵个牙还要光速化精彩,庭前花上叶已孤锁,月明照得存活醋眉烧。相对的,C8感觉像是某个朱元璋脑海中的新娘,反应快,内存读取时迅速,记忆速度快得跟外交部发言人似的,但稳定性可就是映日荷花算了!
清楚了吧,思流颇有如倒鸭叫,记忆快慢决定你的内存,C16与C18真正在于速度的致酿与紧迫。。啊好了,扯远了,只看你自己怎么选!
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檀仲风 2025-02-21 16:18:04
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羊叔幻 2025-02-18 15:06:46
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吾仲萌 2025-02-19 15:53:58
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缕寒流 2025-02-19 10:06:14
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邝季适 2025-02-19 11:40:11
通常情况下,内存访问时序(如周期时间、周期数的差异等)以及支持的内存技术(如RAM、Flash等)都会有一定的区别。详解它们之间的具体差异,需要查阅各自MCU的数据手册或规格说明书才能准确理解。
例如,C16可能指的是某些TMS系列MCU,通常人们对这个系列的MCU处理速度有较为一致的看法。而C18可能是TI(Texas Instruments)旗下90xx/91xx系列的MCU,它们通常支持闪存、进程改进和更高的性能。
请参考具体MCU型号的时序表来对比它们之间的差别。同时,不同的内存访问操作如读操作、写操作、擦除操作等,也都有可能具有不同的周期或时间要求。
以下是一些一般性的例子,可能会有所帮助:
1. 数据页(Data Page)在时钟周期(Clock Cycle)上的不同行为。 2. 外部存储器接口的差异。 3. 在片内存和外部内存的具体延迟差异。 4. 非易失性存储器(如Flash)的访问特征。
要从此类问题获取精确的信息,务必查阅相关的MCU数据手册。研究每一种MCU的特定时序文件,或者直接联系MCU的供应商获取详细的规格说明。
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清尊素影 2025-02-21 12:31:27