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兰叔又 2025-02-19 12:12:46
内存时序四个数字就像是恋爱中的四个步骤，先是热情似火的CL，然后是稳定的BL，再来是稍微冷淡一些的WL，最后是决定关系存续的RL，缺一不可，缺一都不行。
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暨仲北 2025-02-21 15:57:06
内存时序的四个数字分别代表了内存性能的关键参数，它们之间的关系如下：
1. CL（CAS Latency）：列地址访问延迟时间，也就是从CPU发出读取请求到内存开始传输数据之间的延迟周期数。这个参数是时序中最重要的，因为它直接影响到内存的读写速度。
2. tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间，即内存访问一个新行后，到能够访问该行中第一个列地址的延迟时间。
3. tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间，指的是在连续访问不同行之间，内存需要预充电的时间。
4. tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间，即内存从开始激活一行到该行不再被激活之间的时间。
这四个参数共同决定了内存的响应速度和效率。一般来说，这些数字越低，内存的读写速度越快，性能也越好。但需要注意的是，这些参数之间存在一定的平衡关系，例如降低某些参数可能会牺牲其他参数，从而影响内存的稳定性和兼容性。在实际使用中，应根据主板的兼容性和个人需求来选择合适的内存时序参数。
1. CL（CAS Latency）：列地址访问延迟时间，也就是从CPU发出读取请求到内存开始传输数据之间的延迟周期数。这个参数是时序中最重要的，因为它直接影响到内存的读写速度。
2. tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间，即内存访问一个新行后，到能够访问该行中第一个列地址的延迟时间。
3. tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间，指的是在连续访问不同行之间，内存需要预充电的时间。
4. tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间，即内存从开始激活一行到该行不再被激活之间的时间。
这四个参数共同决定了内存的响应速度和效率。一般来说，这些数字越低，内存的读写速度越快，性能也越好。但需要注意的是，这些参数之间存在一定的平衡关系，例如降低某些参数可能会牺牲其他参数，从而影响内存的稳定性和兼容性。在实际使用中，应根据主板的兼容性和个人需求来选择合适的内存时序参数。
